姓名：段伟杰

办公电话：0731-58683584

办公地点：新校区G座-G305

学历：工学博士

邮箱：danwei861016@163.com

研究方向：

1.新型半导体存储器件

2.可印刷柔性电子器件

3.用于人工智能的类脑神经拟态器件

教育经历

2005-2009年 重庆大学化学系材料化学专业攻读学士学位(985、211高校，“双一流”计划高校，世界一流大学建设高校A类)

2012-2017年 湘潭大学材料科学与工程专业硕博连读(低维材料及其应用技术教育部重点实验室，材料科学ESI全球前1%)

2017-2019年 中山大学光电材料与技术国家重点实验室，博士后(985、211高校，“双一流”计划高校，世界一流大学建设高校A类，世界一流建设学科：电子科学与技术)

工作经历

2009-2011年 重庆霖鸿科技环保有限公司 技术骨干

个人综合荣誉（自大学本科开始）

1. 2005-2006学年重庆大学优秀学生干部，两次获得奖学金

2. 2006-2007学年重庆大学优秀共青团干部

3. 2006-2007学年重庆大学优异学生称号

4. 2007-2008学年重庆大学优异学生称号

5. 2008-2009学年重庆大学优异学生称号

6. 2009年评为重庆大学2009届优秀毕业生

7. 2012年获得湘潭大学研究生全额奖学金

8. 2016年1月国家知识产权示范城市专利布局初级实战培训班考核合格结业（证书编号：XT2016-BJCJ-031）

9. 2016年获得湘潭大学“伟人之托”奖学金

近年来，在新型半导体存储设备、可印刷柔性电子器件以及用于人工智能的类脑器件等方面开展了一系列深入的研究与原创性的工作，并发表多篇SCI论文。先后主持或参与多项省部级自然科学基金项目与国家自然科学基金项目，并为多个国际知名期刊杂志审稿，多次受到国内外期刊邀稿和会议邀请，同时担任国际期刊American Journal of Physics and Applications编委会成员。先后与中科院微电子研究所、中科院物理研究所、中科院宁波材料技术与工程研究所、香港理工大学、澳洲国立大学、南京邮电大学、浙江理工大学、中南大学、国防科学技术大学、华南理工大学、苏州大学、西北核物理研究所等机构进行学术交流与合作。

专业技能

熟练使用Origin、Jade、XPSpeaks、Crystal Maker、Photoshop、NanoScopeAnalysis、Diamond等专业软件进行数据处理和图形绘制。准确分析处理有关的电学(I-VSweep,Retention,Cycle,Endurance, Pulse, I-t等)、XRD、EDX、SEM、TEM、XPS、AFM、SIMS、红外光谱、核磁共振谱、C¹³谱、质谱等测试与表征结果。能熟练操作半导体分析仪(Agilent)、高频脉冲发生器、示波器、电子束蒸发镀膜机、原子力显微镜、离子溅射仪、等离子去胶机等仪器，能熟练撰写英文SCI学术论文。

发表的SCI论文及专利(带*为通讯作者)

16.W.Zhang, Y. Mao,WeijieDuan*.Synaptic and Digital Switching in Diffusion Effect-assisted Oxides forAllInorganic Flexible Memristor.Physica Status Solidi-Rapid Research Letters,13,1900016 (2019)

15.W. J. Duan.Effectively reducing the switching voltages based on CdS/ZnO heterostructure for resistive switching memory.Solid-State Electronics,152, 1 (2019).

14.W. J. Duan,C. Rao, X. Z. Wang, Y. L. Pei.Designing of Low Temperature-Grown Al_xIn_yO Self-Mixing Layer for Flexible RRAM.Materials Research Express,6, 016413 (2019)

13.W. J. Duan.Turning electrical switching behaviours in WO_xthin films by thickness.Functional Materials Letters,12, 1850107 (2019)

12.W. J. Duan,Y. Tang,X. C. Liang, C. Rao, J. X. Chu, G. Wang, Y. L. Pei.Solution Processed Flexible Resistive Switching Memory Based on Al-In-O Self-Mixing Layer.Journal of Applied Physics, 124, 104501 (2018)

11. J. X. Chu, Y. Li,X. H. Fan, H. H. Shao,W. J. Duan,et al.Multistate Data Storage in Solution processed NiO based Resistive Switching Memory.Semiconductor Science and Technology, 33, 115007 (2018)

10.Y. Li, J. X. Chu,W. J. Duan,et al.Analog and Digital Bipolar Resistive Switching in SolutionCombustion Processed NiO.ACS Applied Materials & Interfaces,10,24598(2018)

9.段伟杰，裴艳丽，饶畅.一种低激活电压阻变器件的制备方法.中国发明专利，申请号，201810396055.7

8. Y. Zhang, X. Zhong, D. Zhang,W. J. Duan,et al.TiO₂Nanorod arrays/ZnO Nanosheets Heterostructured Photoanode for Quantum-Dot-Sensitized Solar Cells.Solar energy,166, 371(2018)

7.W. J. Duan,Z. X. Liu, Y. Zhang.Eliminating failure behavior by introducing CdS inter-layer in Cu₂O-based memory cell.The European Physical Journal Applied Physics,81, 20101(2018)

6.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong.Electrically-controlled nonlinear switching and multi-level storage characteristics in WO_xfilm-based memory cells.Journal of Physics and Chemistry of Solids,116, 148(2018)

5.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong.High nonlinearity in WO_xfilm prepared by hydrazine hydrate reduction method.Materials Letters,211, 62 (2018)

4.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong.The effect ofγrays irradiation on the electrical properties of WO_xfilm-based memory cells.Europhysics Letters,119,27003(2017)

3.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong, H. J. Song, B. Li. Forming-free and hard-breakdown depressed resistive switching based on natural conductive path.Solid-State Electronics, 129, 210 (2017)

2.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong, H. J. Song, B. Li. Switchable Cu₂O/WO_xp-n junction for high density crossbar arrays.RSC Advances, 6, 102603 (2016)

1.W. J. Duan,J. B. Wang, X. L. Zhong, H. J. Song, B. Li. Complementary resistive switching in single sandwich structure for crossbar memory arrays.Journal of Applied Physics, 120, 084502 (2016)

学术交流

1. 第一届现代铁电新主题国际研讨会，2014年5月，湖南 湘潭。

2. 第15届全国电介质物理、材料与应用技术会议，2014年5月，湖南 湘潭.

3. 中国材料大会2014，2014年7月，四川 成都。

4. 湖南省光学学会2014年年会，2014年12月，湖南 常德。

5. 中国材料大会2015，2015年7月，贵州 贵阳。

6. 中国材料大会2018，2018年7月，福建 厦门。

7. International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems Memrisys 2018, July2018, Beijing, China.

项目经历

1. 广东省自然科学基金项目：柔性阻变存储器原型单元设计及微观输运机制研究，编号：2018A030310316，2018-2021，主持

2. 国家自然科学基金面上项目:铁电薄膜中倾斜带电畴壁的导电性调控及其多值存储研究，编号：51572233，2016-2019，主要参与人

3. 国家自然科学基金青年项目：存储器用多晶铁电薄膜晶界与畴变耦合机理的有限元研究，编号：11402222，2015-2017，主要参与人

4. 国家自然科学基金面上项目:六角LuFeO₃外延薄膜中铁磁性能的声子调制与增强研究，编号：61574121，2016-2019,参与

5. 国家自然科学基金面上项目：铁电薄膜的宽温域巨电热效应及其与畴变的关联研究，编号：11272274，2013-2016，参与